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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
77
Intorno -103% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
38
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3005
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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