RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3527
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link