RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
77
Intorno -148% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
31
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3031
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link