RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
77
Intorno -88% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
41
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2847
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link