RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
53
77
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
53
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2356
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link