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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
77
Intorno -221% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
24
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2852
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
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