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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
77
Intorno -141% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
32
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2831
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD24G8002 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
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