Confronto tra le RAM Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

3 16.3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,622.0 12.2

Valore medio nei test

Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

30 77

Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

23400 5300

Intorno 4.42 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 667 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

763 2761

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns