RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
5300
Intorno 4.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
23400
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2761
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link