RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
77
Intorno -166% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
29
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3014
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link