RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
77
Intorno -103% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
38
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2581
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingmax Semiconductor KSDD48F-B8KW5 1GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link