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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
11.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
11.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
2341
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
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