RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Confronto
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
36
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
9.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
13.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR5
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
36
Velocità di lettura, GB/s
13.4
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.1
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3419
2488
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link