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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
比较
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
36
左右 31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
36
读取速度,GB/s
13.4
14.7
写入速度,GB/s
12.1
9.4
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3419
2488
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAM的比较
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
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