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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Kingston 9905678-005.A00G 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
32
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
32
读取速度,GB/s
17.4
15.6
写入速度,GB/s
10.9
10.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2991
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
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