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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
36
Intorno -89% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.8
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
10.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
19
Velocità di lettura, GB/s
15.0
18.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
2991
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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