RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
36
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
19
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2991
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link