RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
36
Por volta de -89% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.8
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
19
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
18.8
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
14.3
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2991
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link