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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
39
Intorno 8% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
10.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
39
Velocità di lettura, GB/s
15.0
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
2600
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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