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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
39
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
39
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
10.6
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2600
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
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