RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
39
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.6
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
39
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
10.6
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2600
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Mushkin 991586 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link