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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
14.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
9.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
36
Intorno -16% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
31
Velocità di lettura, GB/s
15.0
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
2640
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
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