RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
36
En -16% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
31
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
2640
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link