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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
36
左右 -16% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
31
读取速度,GB/s
15.0
14.1
写入速度,GB/s
10.3
9.0
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2640
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
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