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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
23
读取速度,GB/s
12.8
16.4
写入速度,GB/s
9.0
14.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
2978
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
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