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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
52
左右 -2% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
51
读取速度,GB/s
2,614.5
10.9
写入速度,GB/s
1,145.9
8.3
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2286
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
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