RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2978
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link