RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
14.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
33
Velocità di lettura, GB/s
17.6
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2383
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Elpida EBJ41HE4BDFA-DJ-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link