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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
39
Intorno 15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
39
Velocità di lettura, GB/s
17.6
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2852
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
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