RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
33
Intorno -27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
26
Velocità di lettura, GB/s
17.6
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3266
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link