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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
26
读取速度,GB/s
17.6
17.7
写入速度,GB/s
12.0
13.2
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3266
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
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