RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
36
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
16.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
36
Velocità di lettura, GB/s
17.6
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3068
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link