RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
68
Intorno 51% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
68
Velocità di lettura, GB/s
17.6
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
1826
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link