Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Punteggio complessivo
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Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 42
    Intorno -56% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.3 left arrow 13.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    11.2 left arrow 11.0
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    42 left arrow 27
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.9 left arrow 15.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    11.0 left arrow 11.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2034 left arrow 2545
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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