Confronto tra le RAM Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Punteggio complessivo

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

27 42

Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.3 13.9

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.2 11.0

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2034 2545

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns