Porównanie pamięci RAM Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Wynik ogólny

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 42

Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

15.3 13.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

11.2 11.0

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2034 2545

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns