Comparación de la memoria RAM Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Puntuación global

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 42

En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.3 13.9

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.2 11.0

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2034 2545

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns