Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Puntuación global
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Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 42
    En -56% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.3 left arrow 13.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.2 left arrow 11.0
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    42 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 15.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    11.0 left arrow 11.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2034 left arrow 2545
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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