Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Pontuação geral
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Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 42
    Por volta de -56% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15.3 left arrow 13.9
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.2 left arrow 11.0
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    42 left arrow 27
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.9 left arrow 15.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    11.0 left arrow 11.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2034 left arrow 2545
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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