RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
16.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
33
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
23
Velocità di lettura, GB/s
17.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2561
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link