RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
35
Intorno 6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
11.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
35
Velocità di lettura, GB/s
17.6
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3135
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link