RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
35
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
35
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3135
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link