RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
33
Intorno -6% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
31
Velocità di lettura, GB/s
17.6
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2713
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link