RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
33
Около -6% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
31
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2713
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link