RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
33
Intorno -38% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
24
Velocità di lettura, GB/s
17.6
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2321
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link