RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Kingston 9905701-004.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около -38% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
24
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2321
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link