RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
16.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
33
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
31
Velocità di lettura, GB/s
17.6
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2967
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link