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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
13.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
10.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
33
Intorno -27% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
26
Velocità di lettura, GB/s
17.6
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
2594
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G4M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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