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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
33
左右 -27% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
26
读取速度,GB/s
17.6
13.7
写入速度,GB/s
12.0
10.2
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2594
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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