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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Confronto
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
35
Intorno 6% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
13.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
18.5
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
35
Velocità di lettura, GB/s
18.5
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
13.8
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3341
3423
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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