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Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Confronto
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
53
Intorno 28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
8.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
53
Velocità di lettura, GB/s
14.6
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.8
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2298
2285
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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