Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Punteggio complessivo
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 13.5
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    35 left arrow 62
    Intorno -77% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.3 left arrow 1,843.6
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 6400
    Intorno 2.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    62 left arrow 35
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,556.6 left arrow 13.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,843.6 left arrow 10.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    542 left arrow 2155
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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