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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
62
Autour de -77% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2155
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
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Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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