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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Pontuação geral
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Pontuação geral
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
62
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
1,843.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,556.6
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,843.6
10.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
542
2155
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparações de RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
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Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
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